中國晶片製造商長江存儲(YMTC)11月9日在美國加州北區聯邦地方法院,向美國競爭對手美光(Micron)提起訴訟,指控美光侵犯8項專利。訴狀稱,美光利用這些專利技術,來對抗長江存儲的競爭,並藉此獲得、保護自己的市佔,也沒有支付合理的費用來使用這些專利。
被譽為台灣DRAM(動態隨機存取記憶體)教父,曾任台塑集團旗下南亞科總經理、華亞科董事長的高啟全,五年前跳槽中國紫光集團,引起業界震撼;現任紫光集團全球執行副總裁的他,證實因五年合約期滿、不想續約,十月起離開紫光集團,再度引爆震撼。高啟全自立門戶 做晶圓再生
隨著自駕車時代來臨,半導體業者紛紛推出新產品,希望預先搶佔車用晶片市場。三星電子今年稍早就發表車用DRAM和NAND晶片,而全球第3大NAND製造商威騰電子(Western Digital)週一表示,第4季將發表全球首個3D NAND晶片i-NAND AT EU312 EFD。
中國紫光集團旗下國芯近日公告終止對長江存儲的增資收購股權,對外說法是長江存儲還在建廠階段,紫光國芯以時機不夠成熟暫停收購計畫;不過,業界推斷這恐跟中國整頓融資有關。紫光是中國發展記憶體的國家代表隊之一,旗下長江存儲專攻3D NAND技術,除了在武漢投資建12吋晶圓廠,也擬在南京、成都蓋12吋廠;長江
群聯(8299)昨日在SD協會全球技術研討會展示最新3D NAND技術記憶卡控制晶片PS8131,搭載東芝64層垂直儲存的3D NAND(BiCS3)技術,相較前一代2D NAND版本的產品,其效能速度快上2倍,已在第一季送樣。群聯表示,隨著5G、4K8K等高階規格數位串流時代來臨,公司積極進攻高階
全球第2大記憶體大廠SK海力士(SK Hynix)週四表示,由於行業整體需求大幅增加,將在中國、南韓2地投資3.16兆韓元(約27億美元),用於興建南韓新工廠及中國無錫市的工廠擴產。路透報導,SK海力士此次的投資,大部分將用於興建新的生產儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的工廠;由於行動設備記
今年半導體大廠規劃資本支出沒有比去年減少,但實際仍有變數,電子束檢測設備商漢微科(3658)繼去年營運下滑後,今年預估成長幅度也受到法人質疑,致使股價在短短半個多月,大跌400多元、跌幅逾35%。中國市場衰退、油價低迷、智慧型手機需求疲軟,全球半導體設備龍頭廠應用材料台灣區總裁余定陸表示,今年宏觀經
全球設備大廠美商應用材料 (Applied Materials, Inc.)副總裁暨台灣區總裁余定陸指出,今年半導體晶圓設備支出將持平,但仍有潛在上升空間,「10奈米技術」將成為關鍵。台積電(2330)也指出,庫存見底亟需補貨。因記憶體供應商對3D NAND技術量產,余定陸預期NAND型快閃記憶體面
設備大廠應用材料預估,今年晶圓廠設備支出相對於去年是持平的,但仍有些潛在的上升空間。其中,晶圓代工預期今年投資水位會比去年略高,且一半以上將會集中在10奈米技術,大部分支出會發生在下半年。應材台灣區總裁余定陸表示,拜主要記憶體供應商對3D NAND技術量產之賜,NAND將比前一年有較佳的需求與投資。